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En ausencia de tensiones de polarización , tenemos dos regiones agotadas de portadores , con una barrera de potencial próxima a 0.7 V , insalvable para los portadores si no se les comunica energía suficiente .
Recordando los conceptos vistos en diodos, resulta fácil de deducir que mediante aplicación de tensiones en estas dos junturas podremos variar la circulación de portadores en las mismas .
Si el potencial V1 es suficiente para vencer la barrera de la juntura BE , los electrones emitidos por el emisor alcanzan en grandes cantidades la región de base; de estos no todos encuentran camino a través de la base hacia el polo positivo de V1 , por dos razones :
De esta manera la base se satura rápidamente dando lugar a una pequeña corriente a través de su terminal .
El excedente de electrones , la mayoría tiene la suficiente energía para difundirse hacia la zona agotada del colector , y una vez en esta es atraído por el campo eléctrico proporcionado por V2 ( V2 es mayor que V1 ) .
Visto lo anterior podemos decir que la mayoría de los electrones que abandonan el emisor ( el 95 % en la mayoría de los transistores ) alcanzan el colector y circulan por el circuito exterior de este . El resto se recombinan con los huecos de la base y circulan por su terminal externo .
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