Структура та електропровідність невпорядкованих плівок ScCu₄
Присяжнюк В.І., Деркач В.О., Марголич І.І.

            Об’ємні зразки ScCu₄ одержували шляхом плавлення вихідних компонентів (Sc – 99.92%, Cu – 99.99%) в електродуговій печі в атмосфері очищеного Ar; сплави гомогенізували в евакуйованих кварцових ампулах при Т=870К протягом 1000 год. Тонкі плівки ScCu₄ отримували методами резистивного напилення у вакуумі 10^-3 Па і магнетронного розпилення мішеней в аргоновій плазмі (робочий тиск Ar в системі був 10^-1 Па). Плівки осаджували на підкладки з ситалу та кварцу при Т_п=293-650К. Хімічний склад плівок визначали на мікроаналізаторі “Camebax” в 5 точках кожного зразка. Для електричних вимірювань використовували тонкоплівкові контакти з Cu-Cr, одержані резистивним напиленням. Товщина плівок ScCu₄ була 0.5-1.0 мкм, питомий електроопір досліджували в температурному інтервалі 150-500К.
            Рентгенодифрактометрично (ДРОН-4-07) виявлено, що незалежно від способу одержання та при Т_п<650К конденсати володіють аморфною структурою. Картина дифракції від резистивно та магнетронно одержаних плівок характеризується одним широким розмитим максимумом при S=1.49А^-1. Водночас особливістю магнетронно отриманих зразків є те, що окрім широкого дифракційного максимуму простежується ще й малоінтенсивний гострий пік при S=2.46А^-1. Величини питомого електроопору (Т_п=300К) для резистивно напилених плівок були на 1-2 порядки, магнетронно осаджених на 4-5 порядків вищими від величин питомого електроопору масивних зразків ScCu₄. Зразки, одержані вакуумним напиленням, в досліджуваному інтервалі температур мали металічну провідність з малим значенням ТКО. В тонких плівках, одержаних магнетронним напиленням при Т_п=293К, простежується напівпровідниковий хід провідності, а в зразках, отриманих при Т_п=500К реалізується перехід напівпровідник-метал.
            Проаналізовано механізми провідності плівок в співставленні зі структурними особливостями їх будови.