Структурные релаксации в аморфных и кристаллических пленках систем А³В⁵-Ge.
Миколайчук А.Г., Луцык Н.Ю., Присяжнюк В.И.

            Структурные релаксации, термическая устойчивость и кинетика фазовых превращений пленок систем А³В⁵-Ge (A³B⁵-GaSb, GaAs, InSb) изучались на электронографе ЭГ-100 и электронном микроскопе УЭМВ-100К. Пленки толщиной около 500 А получали методом дискретного испарения в вакууме на установке ВУП-5. Подложками служили стекло, керамика и сколы щелочно-галлоидных монокристаллов.
           Обнаружено, что доминирующее влияние на структурообразование исследуемых пленок имеет температура подложки (Т_п), поддерживаемая в процессе осаждения пленок. Пленки всех исследуемых систем и составов, осажденные при комнатной Т_п, были аморфными. В процессе непрерывного нагрева пленок непосредственно в колонне электронного микроскопа обнаружено, что с ростом концентрации Ge увеличивается термическая устойчивость аморфного состояния. Значительные структурные изменения происходят еще в аморфном состоянии, когда на начальных стадиях отжига аморфная среда разделяется на две отличающиеся по составу аморфные фазы. Первичными фазами кристаллизации являются кристаллиты A³B⁵.
            Равновесие систем А³В⁵-Ge в массивном состоянии описывается диаграммой эвтектического типа, а взаимная растворимость компонентов не превышает 1%. Однако, в тонкопленочном состоянии нами обнаружено формирование при повышенных Т_п кристаллических метастабильных твердых растворов замещения. Непрерывные твердые растворы замещения формируются в системах GaSb-Ge и GaAs-Ge, а в системе InSb-Ge твердые растворы обнаружены только в ограниченной концентрационной области, прилегающей к InSb. На сколах щелочно-галлоидных монокристаллов наращиваются текстурированные и эпитаксиальные пленки твердых растворов замещения. Изучено релаксации структуры и кинетику распада метастабильных твердых растворов. Построены концентрационно-температурные границы формирования и распада твердых метастабильных растворов замещения в пленках систем А³В⁵-Ge.