EDO DRAM ( EXtended Data-Out Dynamic Randomly Access memory ) 為一改良之DRAM. 可加快同一頁之存取時間.
 

其結構和 FPM DRAM 雷同.資料存取動作亦和 FPM DRAM 一樣.
此為 EDO DRAM 的 Timing 圖.  ( 取材自 Micron 的 Databook )
由此圖可看出在 CAS# 放開之後. DQ ( data ) 並沒有跟著消失. 由於這個特性所以被稱呼為 EDO. 因為這個特性所以 CAS# 可以提早放開 這樣就可以提高 DRAM 的效能.
下表為和 FPM DRAM 比較.
 
 

tCAS : CAS# Pulse width.
tCSH : CAS# hold time.
tRC : Random READ or WRITE cycle time.
tRCD : RAS# to CAS# delay time.

綜合上述 Timing EDO 比 FPM 快 3-5%.
EDO 提供 5-2-2-2 的 access cycle. FPM 提供 5-1-1-1 的 access cycle.

 

相關資料

FPM DRAM
SIMM
 

連接到相關網站

以下公司生產 EDO DRAM.
FUJITSU
Micron
NEC
Samsung

[ 4/14/1998  袁明煥 ]