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CURVAS CARACTERISTICAS DE COLECTOR
Cuando IB = 0 , para VCE = 0 , IC = 0 , si se va aumentando la tensión VCE vemos que la corriente de colector se estabiliza rápidamente aunque a un valor muy bajo , algunos nA o uA dependiendo del tipo de transistor . Ello es debido a la corriente de fuga del diodo base colector que se encuentra en inversa y se le denomina ICBO . Si se sigue aumentando la tensión VCE se alcanza la región de ruptura por avalancha donde el transistor se destruye irremediablemente, a este valor se le denomina BVCEO , los fabricantes indican un valor BVCEOmax , que no ha de ser sobrepasado en ninguna circunstancia para evitar el posible deterioro del componente .
Para un valor superior de IB , en el origen, VCE = 0, la corriente de colector es nula , para pequeños aumentos de la tensión VCE , IC crece rápidamente , y a partir de algunas décimas de volts , se hace prácticamente constante , o mas exactamente los incrementos son muy pequeños . y son debido al ensanchamiento de la región agotada del diodo base colector, lo que permite que este recoja algunos electrones mas de la base .
Incrementando de nuevo VCE se alcanzará de nuevo la tensión de ruptura , aunque en este caso a un valor inferior que para
IB = 0 .
Repitiendo el proceso para nuevos valores de la corriente de base , los hechos se repiten : IC se hace prácticamente constante a valores mas elevados y cada vez va alcanzando antes la tensión se ruptura .
A medida que la corriente de base se va haciendo mayor , la pendiente de la curva aumenta entre los puntos de codo y de ruptura, ello implica conjuntamente con los aumentos de IC provocados por los incrementos de la tensión colector- emisor, que
b no es constante , pues si así fuera en cualquier punto de la curva la relación IC/ IB sería la misma y es fácil comprobar que no lo es .Las hojas de datos de los fabricantes suelen dar dos valores de
b (o HFE) :Por ejemplo para el BC548 podemos observar que nos da un valor de
b mayor de 200 pero menor que 450 .En la familia de curvas recién mencionada podemos distinguir tres zonas , que son las zonas en que puede trabajar un transistor.
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