Para valores de VCE , comprendidos entre un voltio aproximadamente y valores cercanos a VCEmax se encuentra la zona activa. En este intervalo el transistor se comporta como una fuente de corriente , determinada por la corriente de base.

A pequeños aumentos de IB corresponde grandes aumentos IC, de forma casi independiente de VCE .

Para hacer trabajar el transistor en esta zona las polarizaciones han de ser tal que el diodo base emisor este en directa y el diodo base colector en inversa .

 El hecho de hacer la corriente de base igual a cero es equivalente , a mantener este circuito abierto. En estas circunstancias la corriente de colector es tan pequeña que si la despreciamos , podemos comparar el transistor , su circuito colector emisor , como un interruptor abierto , y se dice que el transistor esta en corte o simplemente cortado .

 EXPECIFICACIONES MAXIMAS

 Como elemento físico real el transistor tiene limitaciones en sus condiciones de trabajo, que no deben ser sobrepasadas para asegurar la vida del componente. Dicha información la encontramos en las hojas de datos dadas por el fabricante.

Las mas importantes son :

 VCEO máxima tensión colector emisor a base abierta

 VCBO máxima tensión colector base a emisor abierto

 VEBO máxima tensión emisor base a colector abierto

 VCES máxima tensión colector emisor con tensión VBE= 0

 ICmax máxima corriente de colector en régimen continuo

 ICMmax máxima corriente de pico de colector

 IBMmax máxima corriente de pico de base

 Es conveniente limitar los valores reales en régimen de trabajo, al menos a ½ de los máximos especificados con el fin de asegurar un factor un factor de seguridad, como mínimo de 2 Este factor de seguridad expresa la relación entre los valores máximos admisibles y los reales de trabajo .

Recordemos que los valores elevados de tensión ocasionan ruptura por avalancha y que valores elevados de corrientes generan un exceso de calor que influye en las corrientes de fuga, modificando por completo las condiciones de trabajo y llegando en situaciones extremas a la destrucción del dispositivo .

 La potencia total es la suma de las disipadas en el circuito de base y en el circuito de colector . Como la corriente de base es muy baja frente a la de colector , se puede despreciar y considerar , por aproximación, la potencia total como :

Ptot = VCE x IC

 Dado la importancia que tiene este parámetro de la potencia total disipada por el transistor , en las hojas de dato suele encontrarse dos tipos de gráficas :

 CURVA DE MAXIMA POTENCIA

 Expresa la máxima potencia disipable en términos de pares de valores de IC y VCE . Nótese que esta varía en función de la duración en el tiempo de las condiciones de trabajo .

Da información acerca de la potencia disipable en función de la temperatura . (Ver gráfica 7.3)

 Una primera manera se nos ocurre al recordar que tenemos dos diodos base colector y base emisor (atendiendo además a que si se trata de un transistor PNP o NPN ) .Por ejemplo con un ohmetro analógico en la menor escala, cada diodo deberá conducir en un sentido y no en el otro .

 Otra es la conocida como la prueba del dedo . Se conecta las puntas de prueba de un polimetro analógico función ohmios x 1, entre emisor y colector polarizándolo a través de la pila interna del óhmetro . A continuación se toca con un dedo la base y con otro el colector, la corriente proporcionada a la base a través de la resistencia interna de la mano, debe provocar una corriente de colector que hará desviar la aguja del instrumento .Si esta no se moviera o lo hiciera menos de la mitad de la escala el transistor estará defectuoso.

 Verificación más fiable es la realizada a través de un transistómetro, aparato de laboratorio diseñado para tal fin.