資料存放在 Memory array 中 此 Memory array 為一陣列. 所以存取資料時
Address line
需要送二次. 第一次的 Address A9 到 A0 由 RAS# 來決定. 第二次的 Address
A9 到 A0 由 CAS# 來決定. 由 RAS# 和 CAS# 就可以指到一個 Memory array
的位置. 而二個 A9 到 A0
就可以指到二十個 Address. 2 的 20 次方就是 1 MEG. 而上圖是一個 16 bits
的 DRAM.
所以就是一個 1 MEG Bytes X 16 bits 的 DRAM. 也就是一個 2MB ( Mega Bytes
) 的 DRAM.
Fast Page Mode 表示在同一個 RAS# 下. 而 CAS# 可以連續存取而不必重新送出
RAS#.
直到需要存取的位置不在 RAS# 的範圍. 既是所謂的在同一個 Page 下. 若要存取不同
Page 的位置就需要重新送出一個新的 RAS#. 以上圖之 DRAM 來說因 RAS# 可送出
Address A9 到 A0. 所以一個 Page 就表示有1024 個位置 ( 2 的 10 次方
).
此為 FPM DRAM 的 Timing 圖. ( 取材自 Micron
的 Databook )
先看 tRAC 這一個 Timing. tRAC 是 Access time from RAS#. RAS# 是送出第一次的
Address
的時間. 而 tRAC 就是從 RAS# 到 DRAM 送出的資料的時間. -6 的 DRAM 的
tRAC 是 60 ns. 一般所謂 50/60/70 ns 的 DRAM 就是指這個 Timing 了.
tRC 是 Random READ or WRITE cycle time. 表示讀寫一次所需的時間. -6
的 DRAM 是
110ns.
tRAS 是 RAS# pulse width. 表示 RAS# 所需的時間. -6 的 DRAM 是 60ns.
tCAS 是 CAS# pulse width. 表示 CAS# 所需的時間. -6 的 DRAM 是 15ns.
其他請自行參考 Timing 圖.
Refresh. 所有 DRAM 均需要 refresh 以保持資料不流失. Refresh 的方法有
RAS# cycle,
RAS# refresh cycle ( 包含 RAS# only,CBR,Hidden). 需要在規定的時間內
( tREF ) 完成所有 RAS# address 的存取. 例如 1 MBx16 bits 的 DRAM 要在 16
ms 的時間內完成 1024 個 RAS# address 的存取.
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以下公司生產 FPM DRAM.
FUJITSU
Micron
NEC
Samsung
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